Особенности образования помех при переключении КМОП-элемента и воздействии ионизирующей частицы
https://doi.org/10.56304/S2304487X20030098
Аннотация
Ключевые слова
При поддержке: Работа выполнена в рамках госзадания, проект № 0065-2019-0008 “Архитектурные и схемотехнические методы снижения энергопотребления и повышения сбоеустойчивости микропроцессоров и коммуникационных контроллеров высокопроизводительных ЭВМ”
Об авторах
В. Я. Стенин
НИИ системных исследований Российской академии наук; Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Россия
Россия
117218
115409
Москва
Ю. В. Катунин
НИИ системных исследований Российской академии наук
Россия
Россия
117218
Москва
Список литературы
1. Dodd P. E., Shaneyfelt M. R., Felix J. A., Shwank J. R. Production and Propagation of Single-Event Transients in High-Speed Digital Logic ICs // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2004. V. 51. № 6. P. 3278–3284.
2. Dodd P. E., Messengill L. W. Basic Mechanisms and modeling of Single-Event Upset in Digital Microelectronics // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2003. V. 50. № 3. P. 583–602.
3. Ferlet-Cavrois V., Messengill L. W., Couker P. Single-Event Transien ts in Digital CMOS – A Review // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2013. V. 60. № 3. P. 1767–1790.
4. Atkinson N. M., Witulski A. F., Holman W. T., Ahlbin J. R., Bhuva B. L., Massengill L. W. Layout technique for single-event transient mitigation via pulse quenching // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2011. V. 58. № 3. P. 885–890.
5. Катунин Ю. В. Моделирование воздействия одиночных ионизирующих частиц на логические элементы КМОП тройного мажоритарного элемента / Ю. В. Катунин, В. Я. Стенин // Микроэлектроника. – 2020. – Т. 49. – № 3. – С. 230–240.
6. Garg R., Khatri S. P. Analysis and design of resilient VLSI circuits: mitigating soft errors and process variations. New York: Springer, 2010. P. 194–205.
Рецензия
Для цитирования:
Стенин В.Я., Катунин Ю.В. Особенности образования помех при переключении КМОП-элемента и воздействии ионизирующей частицы. Вестник НИЯУ МИФИ. 2020;9(4):345-356. https://doi.org/10.56304/S2304487X20030098
For citation:
Stenin V.Ya., Katunin Yu.V. Features of a Noise Pulse Formation when Switching a CMOS Element and Exposure to an Ionizing Particle. Vestnik natsional'nogo issledovatel'skogo yadernogo universiteta "MIFI". 2020;9(4):345-356. (In Russ.) https://doi.org/10.56304/S2304487X20030098
Просмотров:
95
Послать статью по эл. почте 